国产一卡2卡三卡4卡 精,亚洲色婷婷婷婷五月基地,久久久久久人妻精品一区,国产精品一久久香蕉国产线看观看

電源管理IC(PMIC)的選擇標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)布時(shí)間:2022-11-21 17:16:47

一了解用電環(huán)境
要選擇正確的電源管理組件,您必須首先了解應(yīng)用程序的環(huán)境條件,如系統(tǒng)的輸入和輸出特性等。以下是需要考慮的一些因素:
它是交流電源還是直流電源?

使用直接電源時(shí)是USB供電還是電池供電?
輸入電壓是高于還是低于您想要的輸出電壓?
所需的負(fù)載電流是多少?
負(fù)載噪聲是否敏感,是否需要恒定電流(如LED應(yīng)用),還是需要可變電流?

有足夠的安裝空間嗎?更小的封裝提供更大的功率。
不同的應(yīng)用具有獨(dú)特的需求,需要專門的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和功率管理IC。低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)、DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器和其他無處不在的IC都在其中。降壓轉(zhuǎn)換器(buck)、升壓轉(zhuǎn)換器(boost)和升壓/降壓轉(zhuǎn)換器是三種類型的DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器(buck-boost)。

在構(gòu)建電路(VIN-VOUT)時(shí),首先要考慮輸入輸出電壓差。其次,根據(jù)應(yīng)用程序的特定需求,如效率、熱限制、噪聲、復(fù)雜性和成本,選擇最佳的電源管理芯片(IC)。


二VOUT小于VIN時(shí)有一個(gè)選項(xiàng)
當(dāng)VOUT小于VIN時(shí),在選擇LDO或Buck時(shí),所需的輸出電流和VIN/VOUT比是需要考慮的關(guān)鍵參數(shù)。
(1) 為低VIN/VOUT應(yīng)用程序選擇LDO
LDO線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Linera Regulator)通過以線性方式控制通過元件的導(dǎo)通來調(diào)節(jié)輸出電壓。它提供了精確且無噪聲的輸出電壓,并且可以快速響應(yīng)輸出端的負(fù)載變化。因此,它非常適合低噪聲、低電流和低VIN/VOUT應(yīng)用。
在選擇LDO時(shí),請(qǐng)考慮輸入和輸出電壓范圍、LDO的電流水平以及封裝的散熱能力。VIN-VOUT在可配置范圍內(nèi)的最小電壓稱為LDO電壓差。
在微功率應(yīng)用中,LDO靜態(tài)電流IQ必須足夠低,以避免不必要的電池消耗;這樣的應(yīng)用需要特定的低靜態(tài)電流IQ低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)。
然而,線性調(diào)節(jié)意味著由線性調(diào)節(jié)器的通過元件耗散的功率等于輸入和輸出之間的電壓差乘以平均負(fù)載電流。過高的額外功率損耗是由高VIN/VOUT比和高負(fù)載電流引起的。功耗增加的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)需要更大的封裝尺寸,這增加了成本、PCB空間和熱能消耗。

圖.1 LDO基本電路圖
當(dāng)LDO功耗超過~0.8W時(shí),明智的做法是改用降壓轉(zhuǎn)換器作為替代方案。

(2) VIN/VOUT為高時(shí)選擇降壓轉(zhuǎn)換器


降壓調(diào)節(jié)器是開關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器,當(dāng)VIN/VOUT比和負(fù)載電流都高時(shí),它可以提供高效率和靈活性的輸出。降壓轉(zhuǎn)換器(Bucks)也被稱為降壓調(diào)節(jié)器(降壓調(diào)節(jié)器)和降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器,因?yàn)樗鼈兊膽?yīng)用范圍很廣(DC-DC降壓開關(guān)穩(wěn)壓器)。這三個(gè)術(shù)語都指同一項(xiàng)目。
在大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器中,內(nèi)部高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET用作同步整流器,并且內(nèi)部占空比控制電路交替地導(dǎo)通和截止(on/off)以調(diào)節(jié)平均輸出電壓??梢允褂猛獠縇C濾波器來過濾由切換產(chǎn)生的噪聲。

圖2降壓轉(zhuǎn)換器基本電路圖
由于兩個(gè)MOSFET交替導(dǎo)通和截止,因此功耗較低。可以控制占空比以提供具有更高VIN/VOUT比的輸出。內(nèi)部MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)決定降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力,而MOSFET的額定電壓決定最大輸入電壓。輸出處的紋波電壓的量由開關(guān)頻率和外部LC濾波器組件確定;在具有較高開關(guān)頻率的降壓轉(zhuǎn)換器中使用的濾波器組件可以更小,但是由開關(guān)引起的功耗將增加。

在輕負(fù)載情況下,具有脈沖跳躍模式(PSM)的降壓轉(zhuǎn)換器降低了其開關(guān)頻率,從而提高了效率。對(duì)于需要低功耗待機(jī)狀態(tài)的應(yīng)用程序,此功能至關(guān)重要。
一些特定的降壓拓?fù)?,如ACOT,提供了非??焖俚沫h(huán)路響應(yīng),非常適合需要非??焖俚呢?fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的電源應(yīng)用,如DDR、Core SoC、FPGA和SIC。


三當(dāng)VOUT高于VIN時(shí),選擇升壓轉(zhuǎn)換器
在VOUT大于VIN的情況下,使用升壓調(diào)節(jié)器將輸入電壓升壓到更高的輸出值。電感器通過內(nèi)部MOSFET充電,當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí),電感器會(huì)通過整流器放電到負(fù)載。當(dāng)電感器充電和放電時(shí),電感器電壓反轉(zhuǎn),使輸出電壓升高到VIN以上。
升壓轉(zhuǎn)換器的常用電路包括電感器、功率MOSFET、整流二極管、控制IC以及輸入和輸出電容器。典型的改造設(shè)置包括兩個(gè)MOSFET,其中一個(gè)取代整流二極管,并在電源開關(guān)關(guān)閉時(shí)打開。
MOSFET具有降低的電壓降,這在提高調(diào)節(jié)器效率的同時(shí)最大限度地減少了功耗。
升壓比VOUT/VIN由MOSFET開關(guān)的ON/OFF占空比決定,占空比也由反饋回路控制,以保持恒定的輸出電壓。輸出電容器充當(dāng)緩沖器,減少輸出電壓紋波。最大負(fù)載電流由MOSFET電流絕對(duì)最大額定值和升壓比確定,而最大輸出電壓由MOSFET電壓絕對(duì)最大額定值來確定。為了實(shí)現(xiàn)同步整流的效果,某些升壓轉(zhuǎn)換器將整流器與MOSFET合并。

圖3升壓轉(zhuǎn)換器基本電路示意圖

四當(dāng)輸入電壓不確定時(shí)選擇降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
在輸入電壓變化(低于或高于輸出電壓)的應(yīng)用中,使用升壓-降壓調(diào)節(jié)器。當(dāng)VIN大于VOUT時(shí),四個(gè)內(nèi)部MOSFET開關(guān)自動(dòng)設(shè)置為降壓轉(zhuǎn)換器,當(dāng)VIN小于VOUT時(shí)它們轉(zhuǎn)換為升壓操作。這使得降壓-升壓轉(zhuǎn)換器適用于電池供電的應(yīng)用,特別是當(dāng)電池電壓低于調(diào)節(jié)輸出電壓時(shí),這有助于延長電池壽命。由于四開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器在完全同步模式下操作,因此獲得了更高的效率。降壓模式比升壓模式具有更高的輸出電流能力,因?yàn)樯龎耗J皆谙嗤呢?fù)載條件下需要更多的開關(guān)電流。

最大輸入和輸出電壓范圍由MOSFET的絕對(duì)最大額定電壓決定。在輸出電壓不需要參考地的情況下,例如LED驅(qū)動(dòng)器,可以使用僅具有單個(gè)開關(guān)和整流器的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。輸出電壓通常與VIN有關(guān)。

圖4帶四個(gè)內(nèi)部開關(guān)的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
上面描述的四種轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)被大多數(shù)功率管理組件所使用。外部MOSFET模式可以考慮用于一些特定的應(yīng)用,例如那些需要非常大的開關(guān)電流(例如>10A)的應(yīng)用。專用電源監(jiān)控IC可用于監(jiān)控電源過電壓或欠電壓條件。


推薦資訊

接近傳感器:類型、工作原理和應(yīng)用

2022-11-21

接近傳感器:類型、工作原理和應(yīng)用

一什么是接近傳感器?接近傳感器是指設(shè)計(jì)用于在不接觸檢測(cè)對(duì)象的情況下進(jìn)行檢測(cè)并取代接觸檢測(cè)方法(如限位開關(guān))的傳感器的總稱。它能夠?qū)⒂^察到的物體的運(yùn)動(dòng)和存在信息轉(zhuǎn)換為電脈沖。使用通過電磁感應(yīng)在待檢測(cè)的金屬物體中產(chǎn)生的渦電流的方法、捕捉由于待檢測(cè)的物體的接近而…

查看詳情

MOS管漏電流產(chǎn)生的原因

2022-11-21

MOS管漏電流產(chǎn)生的原因

MOS管泄漏電流的原因功耗是由漏電流引起的,尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管漏電流的六種不同原因。1.反向偏置-PN結(jié)處的泄漏電流2.漏電流低于閾值3.由于排水造成的障礙物減少4.第V次滾降5.工作環(huán)境溫度的影響6.漏電流隧穿進(jìn)入并穿過柵極氧化物7.由于熱載流子注入從襯底…

查看詳情

碳化硅:電力電子的未來

2023-05-12

碳化硅:電力電子的未來

由于MOSFET和IGBT的發(fā)展,基于硅的功率開關(guān)器件使系統(tǒng)能夠產(chǎn)生更多的功率,同時(shí)以更高的效率工作。本文主要介紹了SiC相對(duì)于Si的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),SiC器件的工作原理,以及各種SiC功率器件的特點(diǎn)。在當(dāng)今世界,由于供熱、機(jī)器人、電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、電力傳輸?shù)葢?yīng)用的增加,對(duì)電力設(shè)…

查看詳情

Copyright © 2023 深圳市龍宏電子科技有限公司粵ICP備2023056385號(hào)